Samsung ogłasza kompleksową mapę drogową procesu do 4 nm

Samsung stands as a technology giant in the industry, with tendrils stretching out towards almost every conceivable area of consumer, prosumer, and professional markets. It is also one of the companies which can actually bring up the fight to Intel when it comes to semiconductor manufacturing, with some analysts predicting the South Korean will dethrone Intel as the top chipmaker in Q2 of this year. Samsung scales from hyper-scale data centers to the internet-of-things, and is set to lead the industry with 8nm, 7nm, 6nm, 5nm, 4nm and 18nm FD-SOI in its newest process technology roadmap. The new Samsung roadmap shows how committed the company is (and the industry with it) towards enabling the highest performance possible from the depleting potential of the silicon medium. The 4 nm 'post FinFET' structure process is set to be in risk production by 2020.

To ogłoszenie stanowi również powtórzenie Samsunga o wykorzystaniu technologii EUV (Extreme Ultra Violet) do produkcji płytek, technologii, która od dawna jest uznawana za wybawcę gęstszych procesów, ale ostatecznie została wyparta z przyjęcia na rynku ze względu na swoją złożoność. Kelvin Low, starszy dyrektor ds. Marketingu odlewniczego w firmie Samsung, powiedział, że „magiczna liczba” wydajności (jak w przypadku trwałego stosunku inwestycji / zwrotu) w przypadku EUV wynosi 1500 wafli dziennie. Samsung przekroczył już 1000 wafli dziennie i ma wysoki stopień pewności, że można uzyskać 1500 wafli dziennie. Najnowsze technologie i rozwiązania firmy Samsung dotyczące procesów odlewniczych przedstawione na corocznym Forum Samsung Foundry obejmują:

8LPP (8 nm Low Power Plus)
8LPP zapewnia najbardziej konkurencyjne korzyści skalowania przed przejściem do litografii EUV (Extreme Ultra Violet). Łącząc kluczowe innowacje procesowe z technologii Samsung 10 nm, 8LPP oferuje dodatkowe korzyści w obszarach wydajności i gęstości bramki w porównaniu z 10LPP.

7LPP (7 nm Low Power Plus)
7LPP będzie pierwszą technologią półprzewodnikową, w której zastosowano rozwiązanie litograficzne EUV. 250 W maksymalnej mocy EUV
Energia źródłowa, która jest najważniejszym kamieniem milowym dla wprowadzenia EUV do produkcji na dużą skalę, została opracowana dzięki współpracy Samsunga i ASML. Wdrożenie litografii EUV przełamie bariery skalowania prawa Moore'a, torując drogę dla generacji pojedynczych nanometrowych półprzewodników.

6LPP (6 nm Low Power Plus)
6LPP przyjmie unikalne rozwiązania Smart Scaling firmy Samsung, które zostaną zastosowane w oparciu o technologię 7LPP opartą na EUV, umożliwiając większe skalowanie obszaru i korzyści związane z bardzo niskim zużyciem energii.

5LPP (5 nm Low Power Plus)
5LPP wydłuża fizyczny limit skalowania struktury FinFET, wdrażając innowacje technologiczne z następnej generacji procesów, 4LPP, w celu lepszego skalowania i redukcji mocy.

4LPP (4 nm Low Power Plus)
4LPP będzie pierwszą implementacją architektury urządzeń nowej generacji - struktury MBCFETTM (Multi Bridge Channel FET). MBCFETTM to wyjątkowa technologia Samsung GAAFET (Gate All Around FET), która wykorzystuje urządzenie Nanosheet do przezwyciężenia fizycznego skalowania i ograniczeń wydajności architektury FinFET.

FD-SOI (Fully Depleted - Silicon on Insulator)
Well suited for IoT applications, Samsung will gradually expand its 28FDS technology into a broader platform offering by incorporating RF (Radio Frequency) and eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory) options. 18FDS is the next generation node on Samsung's FD-SOI roadmap with enhanced PPA (Power/Performance/Area). Sources: Samsung Newsroom, eeTimes