SK Hynix przedstawia swoje produkty pamięci HBM2E, 460 GB / si 16 GB na stos



SK Hynix Inc. announced today that it has developed HBM2E DRAM product with the industry's highest bandwidth. The new HBM2E boasts approximately 50% higher bandwidth and 100% additional capacity compared to the previous HBM2. SK Hynix's HBM2E supports over 460 GB (Gigabyte) per second bandwidth based on the 3.6 Gbps (gigabits-per-second) speed performance per pin with 1,024 data I/Os (Inputs/Outputs). Through utilization of the TSV (Through Silicon Via) technology, a maximum of eight 16-gigabit chips are vertically stacked, forming a single, dense package of 16 GB data capacity.

HBM2E firmy SK Hynix to optymalne rozwiązanie pamięci dla czwartej ery przemysłowej, obsługujące wysokiej klasy układy graficzne, superkomputery, uczenie maszynowe i systemy sztucznej inteligencji, które wymagają maksymalnej wydajności pamięci. W przeciwieństwie do podstawowych produktów DRAM, które przyjmują formy pakietów modułów i są montowane na płytach systemowych, układ HBM jest ściśle połączony z procesorami, takimi jak procesory graficzne i układy logiczne, oddalonymi od siebie tylko o kilka µm, co pozwala na jeszcze szybszy transfer danych. 'SK Hynix has established its technological leadership since its world's first HBM release in 2013,' said Jun-Hyun Chun, Head of HBM Business Strategy. 'SK Hynix will begin mass production in 2020, when the HBM2E market is expected to open up, and continue to strengthen its leadership in the premium DRAM market.'