SK hynix opracowuje pamięć DDR4 1Znm 16 Gb



SK hynix Inc. announced today that it has developed 1Znm 16Gb (Gigabits) DDR4 (Double Data Rate 4) DRAM. As 16Gb is the industry's largest density for a single chip, the total memory capacity per wafer is also the largest of the existing DRAMs. The productivity of this product has improved by about 27% compared to the previous generation, 1Y nm. It does not require highly expensive extreme ultraviolet (EUV) lithography, which gives it a competitive edge cost-wise.

Nowa pamięć DRAM 1Z nm obsługuje również transfer danych do 3200 Mb / s, co jest najszybszą szybkością przetwarzania danych w interfejsie DDR4. Firma znacznie zwiększyła efektywność energetyczną, skutecznie zmniejszając zużycie energii o około 40% w porównaniu do modułów o tej samej gęstości wykonanych z 1Y nm 8 Gb DRAM. W szczególności SK Hynix zastosował nową substancję nieużywaną w procesie produkcyjnym poprzedniej generacji, maksymalizując pojemność tego produktu 1Znm. Pojemność, ilość ładunku elektrycznego, którą może przechowywać kondensator, jest kluczowym elementem działania pamięci DRAM. Wprowadzono również nowy projekt, aby zwiększyć stabilność operacyjną.

„1Znm DDR4 DRAM może pochwalić się najwyższą w branży gęstością, szybkością i wydajnością energetyczną, co czyni go najlepszym produktem spełniającym zmieniające się wymagania klientów poszukujących pamięci DRAM o wysokiej wydajności / wysokiej gęstości” - powiedział Lee Jung-hoon, szef 1Z TF w DRAM Development & Business. „SK Hynix rozpocznie masową produkcję i dostawę na pełną skalę w przyszłym roku, aby aktywnie reagować na zapotrzebowanie rynku”.

SK hynix plans to expand the 1Znm technology process to a variety of applications, such as LPDDR5, the next generation mobile DRAM, and HBM3, the fastest DRAM to be.