SK Hynix wprowadza pierwszą na świecie „opartą na CTF pamięć flash 4D NAND” (96-warstwowa TLC 512 Gb)



SK Hynix today launched the world's first 96-Layer 512Gb CTF (Charge Trap Flash) based 4D NAND flash. Don't let the name trick you - it's still based on 3D TLC technology, but SK Hynix has gone and added a 4th dimension due to its pairing of charge trap flash technology in conjunction with PUC (Peri. Under Cell technology.

SK Hynix twierdzi, że ich podejście jest (oczywiście) lepsze niż dostępne w branży podejście 3D Floating Gate. Konstrukcja układu 4D NAND powoduje zmniejszenie rozmiaru układu o ponad 30% i zwiększa wydajność bitową na wafel o 49% w porównaniu z 72-warstwowym układem 3D NAND 512 GB 512Gb. Co więcej, produkt ma o 30% wyższą wydajność zapisu i o 25% wyższą wydajność odczytu. Ponadto jego przepustowość danych jest podwojona do wiodącego w branży (pod względem wielkości) 64 KB. Prędkość we / wy danych (wyjście wyjściowe) osiąga 1200 Mb / s (megabitów / s) przy 1,2 V. Plan wprowadzenia produktów konsumenckich o pojemności do 1 TB wraz ze sterownikami i oprogramowaniem układowym SK Hynix; dyski SSD dla przedsiębiorstw pojawią się w pierwszej połowie 2019 r., ale Sk Hynix wciąż wprowadza 96-warstwowe 1 Tb TLC i układy pamięci QLC w 2019 r.

„Ta 4-warstwowa NAND 4D NAND oparta na technologii CTF, o najwyższej w branży konkurencyjności i wydajności pod względem kosztów, stanie się kamieniem milowym w biznesie NAND Flash firmy jako platforma do opracowywania przyszłych produktów” - powiedział wiceprezes J.T. Kim, szef marketingu NAND. „Firma planuje rozpocząć produkcję masową na wczesnym etapie w tym roku i dalej rozszerzać produkcję w M15, aby aktywnie reagować na różnych klientów” - dodał.
Source: SK Hynix