SK Hynix podaje wyniki za drugi kwartał 2019 r



SK hynix Inc. today announced financial results for its second quarter 2019 ended on June 30, 2019. The consolidated second quarter revenue was 6.45 trillion won while the operating profit amounted to 638 billion won and the net income 537 billion won. Operating margin for the quarter was 10% and net margin was 8%.

Ponieważ ożywienie popytu nie spełniło oczekiwań, a spadki cen były bardziej gwałtowne niż oczekiwano, przychody i zysk operacyjny spadły w drugim kwartale odpowiednio o 5% i 53% w porównaniu z analogicznym kwartałem. Przesyłki bitów DRAM wzrosły o 13% QoQ, ponieważ Spółka aktywnie reagowała na rynki DRAM dla urządzeń mobilnych i komputerów PC, na których wzrost popytu był stosunkowo wysoki. Ceny DRAM pozostały jednak słabe, a średnia cena sprzedaży spadła o 24%. W przypadku NAND Flash przesyłki bitowe wzrosły o 40% kw./kw. Z powodu ożywienia popytu spowodowanego spadkami cen, podczas gdy średnia cena sprzedaży spadła o 25%. SK Hynix planuje elastycznie dostosowywać produkcję i inwestycje, aby reagować na warunki rynkowe.

Firma zmniejszy moce produkcyjne DRAM z czwartego kwartału i przekształci część linii produkcyjnych DRAM w M10 FAB w Icheon w Korei na linie produkcyjne z matrycą CMOS (CIS) z drugiej połowy. Ma to na celu zmniejszenie pojemności płytki DRAM z uwzględnieniem środowiska zapotrzebowania na pamięć DRAM i zwiększenie konkurencyjności jej działalności CIS. Ponadto, wraz ze spadkiem pojemności z powodu migracji technologii DRAM, pojemność pamięci DRAM prawdopodobnie będzie się zmniejszać do przyszłego roku.

SK Hynix dodał, że zwiększy również redukcję nakładów na płytki NAND w tym roku do ponad 15%. Firma ogłosiła w ostatnim semestrze, że w tym roku zmniejszy wkład waflowy NAND o ponad 10% w porównaniu z rokiem ubiegłym.

Ponadto SK Hynix planuje dokonać przeglądu, oceny sytuacji popytowej, terminu zabezpieczenia dodatkowej przestrzeni w pomieszczeniu czystym w swoim M15 FAB w Cheongju w Korei oraz zainstalowania sprzętu w M16 FAB w Icheon, który ma zostać ukończony w drugim połowa przyszłego roku. W rezultacie oczekuje się, że kwota inwestycji w przyszłym roku będzie znacznie niższa niż w tym roku.

SK Hynix będzie nadal koncentrować się na migracji technologii i produktach o wysokiej gęstości i wartości dodanej.

Firma zamierza zwiększyć udział pamięci DRAM 1Xnm i 1Y nm do 80% do końca tego roku i rozpocząć sprzedaż produktów komputerowych 1 nm nm od drugiej połowy tego roku.

W przypadku NAND Flash SK Hynix skoncentruje się na swoim 72-warstwowym NAND, ale planuje także skierować swoją ofertę na rynek smartfonów i dysków SSD z wyższej półki, zwiększając odsetek 96-warstwowych 4D NAND od drugiej połowy. Firma przygotuje się do masowej produkcji i sprzedaży 128-warstwowego 1Tb (Terabit) TLC (Triple Level Cell) 4D NAND Flash.

SK hynix will continue to strengthen its competitiveness in preparation for mid- to long-term memory growth.