SK Hynix rozpoczyna masową produkcję pierwszego na świecie 128-warstwowego 4D NAND



SK Hynix Inc. announced today that it has developed and starts mass-producing the world's first 128-Layer 1 Tb (Terabit) TLC (Triple-Level Cell) 4D NAND Flash, only eight months after the Company announced the 96-Layer 4D NAND Flash last year.

128-warstwowy układ NAND 1 Tb oferuje najwyższy w branży układ pionowy z ponad 360 miliardami komórek NAND, z których każdy przechowuje 3 bity na jeden układ. Aby to osiągnąć, SK Hynix zastosował innowacyjne technologie, takie jak „ultrahomogeniczna technologia trawienia pionowego”, „niezawodna wielowarstwowa technologia tworzenia cienkich warstw ogniw” oraz ultraszybka konstrukcja obwodów małej mocy, do własnego 4D Technologia NAND.

Nowy produkt zapewnia najwyższą w branży gęstość 1 Tb dla TLC NAND Flash. Wiele firm, w tym SK Hynix, opracowało produkty NAND 1 Tb QLC (komórki czteropoziomowe), ale SK Hynix jest pierwszą na rynku, która wprowadziła na rynek pamięć flash 1AND TLC NAND Flash. TLC stanowi ponad 85% rynku NAND Flash o doskonałej wydajności i niezawodności.

Mały rozmiar układu, największa zaleta 4D NAND firmy, pozwoliła SK Hynix na realizację pamięci flash NAND o ultra-wysokiej gęstości. Firma ogłosiła innowacyjny 4D NAND w październiku 2018 r., Który połączył projekt 3D CTF (Charge Trap Flash) z technologią PUC (Peri. Under Cell).

Dzięki tej samej platformie 4D i optymalizacji procesów, SK Hynix był w stanie zmniejszyć całkowitą liczbę procesów produkcyjnych o 5%, układając kolejne 32 warstwy na istniejącym 96-warstwowym NAND. W rezultacie koszt inwestycyjny przejścia z 96-warstwowej na 128-warstwową NAND został zmniejszony o 60% w porównaniu z poprzednią migracją technologii, znacznie zwiększając efektywność inwestycji.

128-warstwowa 1 Tb 4D NAND zwiększa wydajność bitową na wafel o 40% w porównaniu do 96-warstwowej NAND 4D firmy.

SK Hynix rozpocznie sprzedaż 128-warstwowej pamięci flash 4D NAND od drugiej połowy tego roku, kontynuując wdrażanie różnych rozwiązań.

Dzięki czteropłaszczyznowej architekturze w jednym układzie, produkt ten osiągnął prędkość przesyłania danych 1400 Mb / s (megabitów / s) przy 1,2 V, umożliwiając wydajne i energooszczędne rozwiązania mobilne oraz dysk SSD dla przedsiębiorstw.

SK Hynix planuje opracować produkt UFS 3.1 nowej generacji w pierwszej połowie przyszłego roku dla głównych flagowych klientów smartfonów. Dzięki 128-warstwowej pamięci flash NAND 1 TB, liczba układów NAND niezbędnych dla produktu 1 TB (terabajt), obecnie największej pojemności dla smartfona, zostanie zmniejszona o połowę w porównaniu do 512 Gb NAND; zapewni klientom mobilne rozwiązanie o 20% mniejszym zużyciu energii w pakiecie o grubości 1 mm.

Firma zamierza również rozpocząć masową produkcję 2-TB SSD klienta z wewnętrznym kontrolerem i oprogramowaniem w pierwszej połowie przyszłego roku. Dyski SSD 16 TB i 32 TB Non-Volatile Memory express (NVMe) dla centrów danych w chmurze zostaną również wydane w przyszłym roku.

„SK Hynix zapewnił fundamentalną konkurencyjność swojej działalności NAND dzięki 128-warstwowemu 4D NAND” - powiedział wiceprezes wykonawczy Jong Hoon Oh, dyrektor ds. Globalnej sprzedaży i marketingu. „Dzięki temu produktowi, najlepszemu w branży stosowi i gęstości, zapewniamy klientom różnorodne rozwiązania we właściwym czasie”.

SK Hynix is developing the next-generation 176-Layer 4D NAND Flash, and will continue to strengthen the competitiveness of its NAND business through technological advantages.